真空鍍膜
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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PECVD法沉積氫化非晶硅薄膜內(nèi)應(yīng)力的研究
利用等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)在硅基底上沉積了氫化非晶硅薄膜,通過納米壓入儀、電子薄膜應(yīng)力分布儀、傅里葉變換紅外光譜儀等表征技術(shù),研究了沉積時的工藝參數(shù)對薄膜內(nèi)應(yīng)力的影 響,對薄膜的本征應(yīng)力、熱應(yīng)力進
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Fe/Si多層膜經(jīng)快速熱退火合成β-FeSi2薄膜的研究
采用磁控濺射儀在高阻Si(100)襯底上沉積了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多層膜,并在Ar氣氣氛下進行了1000℃,10s 的快速熱退火。
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Al-C-N非晶薄膜結(jié)構(gòu)及導電性研究
為了揭示Al-C-N 非晶薄膜的結(jié)構(gòu)、導電性以及它們之間的關(guān)系,本文采用非平衡磁控濺射沉積技術(shù)在Si (100) 基體上沉積得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜。
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小圓平面靶磁控濺射鍍膜均勻性研究
從圓平面靶磁控濺射的原理出發(fā)，針對圓形平面靶面積小于基片面積的特點進行分析，建立膜厚分布的數(shù)學模型，并利用計算機進行模擬計算，目的在于探尋平面靶材面積小于基片面積時影響膜厚均勻性的因素
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大面積VHF-PECVD反應(yīng)室噴淋式平板電極間電場和流場數(shù)值模擬
以大面積噴淋式平板電極甚高頻等離子體增強化學氣相沉積(VHF-PECVD)反應(yīng)室為研究對象,利用FlexPDE和CFD-ACE+ 商業(yè)軟件,對反應(yīng)室電極間的電場和流場分布進行了數(shù)值模擬
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織構(gòu)ZnO:Al與p-μc-Si:H薄膜接觸特性的研究
用PECVD法在不同織構(gòu)ZnO:Al上沉積了p-μc-Si:H薄膜，研究了不同織構(gòu)ZnO:Al 與p-μc-Si:H 薄膜的接觸特性
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磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復合薄膜及其鐵電鐵磁性研究
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4（CFO）層狀結(jié)構(gòu)磁電復合薄膜，測試結(jié)果顯示此磁電復合薄膜在室溫下同時存在鐵電性和鐵磁性
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中頻磁控反應(yīng)濺射AlN薄膜及微觀結(jié)構(gòu)研究
采用中頻磁控反應(yīng)濺射工藝進行了氮化鋁薄膜的制備，對沉積速率、晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌與氮氣流量和濺射功率之間的變化關(guān)系進行了研究
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