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直流磁控濺射輝光等離子體的Langmuir靜電探針診斷

電子溫度隨著離靶面距離增大而遞減;電子密度在徑向和軸向均存在波動;電子能量主要分布在0 eV～5 eV范圍內,高能電子占比例極少.

非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復合薄膜機械性能研究

利用非平衡磁控濺射設備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜。

濺射角度對氧化鉻薄膜性能結構的影響

硬質涂層對工件表面改性已經(jīng)成為現(xiàn)代先進制造加工行業(yè)越來越重視的工藝,工件一般為復雜外形,保證工件表面涂層性能結構的一致性尤為重要。

輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結構和形貌的影響

基于雙極脈沖磁控濺射復合離子束輔助沉積的新工藝,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常溫制備了透明導電的銦錫氧化物(ITO)薄膜.重點研究了不同輔助離子束功率密度對ITO薄膜晶體結構和表面形貌的影響。

磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點是靶材表面的磁場達不到正常磁控濺射時要求的磁場強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。

磁控濺射鐵磁性靶材存在的問題

合金膜的濺射沉積方法

為使濺射系統(tǒng)所用靶的數(shù)量減少，盡量用一個靶就能濺射沉積制取符合成分及性能要求的合金薄膜，可以采用合金靶、復合鑲嵌靶、以及采用多靶濺射等。

非對稱脈沖磁控濺射的工作原理

脈沖磁控濺射一般使用矩形波電壓，由于所用的脈沖波形是非對稱性的，因此得名為非對稱脈沖磁控濺射。

磁控濺射中電磁場分布二維模擬

本文采用計算機FORTRAN語言自主編程，通過建立通電線圈磁場的數(shù)學模型，對磁控濺射靶附近由通電線圈產(chǎn)生的磁場分布進行了二維數(shù)值模擬計算。

太陽能選擇性吸收涂層中鋁靶拐點電壓的影響因素分析

射頻磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優(yōu)化

在采用射頻磁控濺射在Si 和玻璃襯底上制備單層ZnO 薄膜時，薄膜會受到濺射功率、襯底溫度、氧氬比以及工作氣壓等的影響。本文中將詳細討論這些因素對ZnO薄膜晶體質量，應力以及光學性能的影響。

氧分壓對直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響

本文采用直流磁控濺射技術，在室溫下通過改變氧分壓的工藝條件制備了IGZO 薄膜，系統(tǒng)性的分析了氧分壓對薄膜的物相結構、表面形貌、元素結合能及電學與光學等特性的影響。

沉積溫度對磁控濺射制備V-Al-Si-N硬質涂層結構及性能的影響

本文利用磁控濺射的方法通過改變基片溫度制備了不同沉積溫度的V-Al-Si-N涂層，并利用X射線衍射(XRD) 、掃描電鏡(SEM) 、納米壓痕儀和摩擦磨損試驗機對涂層的結構及性能進行了分析。

固體潤滑軸承用9Cr18不銹鋼離子注入與磁控濺射改性真空摩擦學研究

為了提高空間固體潤滑滾動軸承耐磨壽命，采用全方位離子注入和磁控濺射技術對空間固體潤滑軸承用9Cr18材料進行耐磨減摩表面改性研究。

偏壓對磁控濺射制備Ni摻雜TiB2基涂層結構及力學性能的影響

本文采用中頻和射頻電源的雙靶磁控濺射設備通過改變基片偏壓制備了不同偏壓的TiB2-Ni涂層。對所制備的涂層進行了結構和性能的研究，探討了偏壓對其生長結構，以及硬度、斷裂韌性、膜基結合力和摩擦學等方面的性能。

高溫鋁液中TiAlN硬鍍層失效機理研究

本文以H13鋼基體上的磁控濺射TiAlN鍍層為研究對象，通過鍍層在高溫鋁液中長時間浸蝕后對表面、截面形貌變化和成分分析等途徑，探討硬質鍍層在高溫鋁液中的失效機理。

大曲率球形基底表面膜厚均勻性的實現(xiàn)

針對球形基底膜厚均勻性問題，提出了一種新的思路，設計改造了一種新型布局的磁控濺射設備，以解決大曲率球形基底外表面膜層的均勻性問題。

復合高功率脈沖磁控濺射放電等離子體特性

本文采用脈沖與直流電源并聯(lián)模式的復合HIPIMS，針對Ti、Cr靶研究脈沖電壓對復合HIPIMS 過程中的靶電壓、靶電流、電子密度(Ne)、電子溫度(Te)、等離子體電勢(Vs)以及基體電流等微觀參數(shù)的影響。

沉積時間對磁控濺射法制備寬禁帶半導體薄膜材料ZnS物性及光學性質的影響

本文用磁控濺射法制備了ZnS薄膜，并對薄膜的物理性質及光學性質進行了細致的研究。為ZnS薄膜材料的進一步應用，提供了實驗依據(jù)。

不同相結構Ti33Al67靶材磁控濺射薄膜對比研究

本文研究了一種成分相同，而相結構完全不同的Ti33Al67靶材沉積薄膜的性能，從微觀角度探討了兩種靶材沉積薄膜性能產(chǎn)生差異的原因。