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大面積石墨烯二維晶體可控生長及其器件應用

石墨烯是理想的二維晶體，具有超高的載流子遷移率、電導率、熱導率、透光性、強度等優點，在高速計算芯片、復合材料、平板顯示、儲能元件呈現出廣闊的應用前景。

Si(100)表面二聚體翻轉觸發的自發鏈式反應

Si(100)表面的二聚體翻轉在小分子解離吸附反應中起到了重要作用，可以觸發其自發鏈式反應，對理解類似反應機理提供了參考，解決了之前理論和實驗結果存在偏差的問題。

WS2納米管的電學和光電特性及其納米器件研究

與石墨烯類似，硫化鉬和硫化鎢等無機材料也具有層狀結構，層間以范德瓦爾斯力相連，片層表面沒有懸掛鍵，特別是它們本身具有半導體特性，還能吸收可見光。

ZnO薄膜結構與壓電性能調控及其應用研究

基于GARFIELD 的氣體電子倍增器的特性模擬

氣體電子倍增器具有高計數率、抗輻射、高位置分辨率和時間分辨率等優點，已在粒子物理領域獲得了重要應用，并在生物醫學、材料科學和天體物理學等其他領域也表現出廣泛的應用前景。

波段大功率速調管快速啟動陰極的研究進展

本文主要通過對S 波段大功率速調管陰極熱子熱屏組合結構改進及加熱方式的試驗研究，陰極預熱時間從原來15 min 的降至140 s，大大縮短了陰極的預熱時間，從而實現陰極的快速啟動。

金納米結構的局域表面等離子體激元共振

目前關于金屬納米結構局域表面等離子體共振的研究吸引了國內外眾多學者的興趣，在本報告中將首先簡單介紹該領域的一些研究現狀。其次，將匯報一下關于金納米結構局域表面等離子體共振近期的一些工作結果。

等離子體紫外光源技術的進展及應用

隨著技術的發展和應用領域的拓展，平板紫外光源技術得到發展，體現了良好的發展前景。

氧化鋅納米冷陰極及應用探索

基于場致電子發射原理的冷陰極有可能在平板顯示器、太陽能電池、微型衛星助推器、微型質譜儀、平行電子束光刻、冷陰極發光管、微真空三極管等信息電子器件上獲得應用。

微波真空器件中的微電子技術

基于場致發射陰極和現代微細加工技術制作的微波真空電子器件，既可以實現器件的抗輻射，耐高溫，高頻率，大功率和瞬時啟動，同時又能具有小體積，高效率，集成化和低成本，是性能十分理想的新型電子器件。

有機/無機復合半導體材料與太陽電池

有機/無機復合半導體材料是一種新型人工合成材料，兼具有機、無機半導體材料的優點，在性能上實現優勢協同與功能互補，受到材料、物理、化學、信息、能源等研究領域的廣泛關注，并已應用于新型太陽電池的研制。

功率半導體器件技術

功率半導體，即進行功率處理的半導體器件，它包括功率二極管、功率開關器件與功率集成電路，前兩者也稱為功率(分立)器件。

W 波段固態電子器件與電路

W 波段電路對固態電子器件的頻率特性提出了非常高的要求。InP 基材料由于具有載流子遷移率高、能帶易于剪裁等特點在毫米波和太赫茲領域具有重要的應用前景。

拓撲絕緣體納米結構與器件

本報告將介紹最近開展的拓撲絕緣體納米結構的范德華外延生長、譜學、電學輸運特性以及透明柔性導電薄膜應用等方面的研究。

基于非晶InGaZnO材料的阻變存儲器與憶阻器

從材料結構及電子結構角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球對稱的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對電學輸運影響較小且遷移率較高的特點。

硅襯底上無微裂稀反極性疇AlN 薄膜的分子束外延研究

氮化鋁(AlN)薄膜作為改善異質外延界面、調控熱失配應力最有效的過渡層，是最關鍵的外延層之一。

直流磁控共濺射制備Zn-Sb 熱電薄膜的研究

本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規律。

真空環境中多場耦合對Au/Cu/Si 薄膜界面結構的影響

本研究中通過模擬的低地球軌道環境對Au/Cu/Si 薄膜樣品進行處理，同時運用俄歇電子能譜、原子力顯微鏡、X 射線衍射等分析方法，研究薄膜表面和界面結構，界面層產物分布以及原子擴散過程。

鋼基CVD 金剛石薄膜的制備、微結構及其機械性能的研究

通過本文的研究，在鋼基上CVD 金剛石薄膜的機械和耐腐蝕性能方面取得了明顯的突破，將有利于推動這種具有優良性能的耐磨涂層體系的工業化應用。

高遷移率Al-In-Zn-O 氧化物薄膜晶體管的研究

為了降低工業化成本，溶液法制備TAOS-TFT 受到了研究人員的青睞。然而，溶液法制備的氧化物半導體薄膜由于缺陷的存在，從而使得器件的遷移率較低、關態電流較大。