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陽極氧化法制備壁壘型Al2O3絕緣膜的研究

采用陽極氧化法在Al膜上制備具有絕緣性能的壁壘型Al2O3膜,研究不同成分比例的電解液、陽極氧化電壓對壁壘型Al2O3膜性能的影響。

銅砷銻多元合金真空蒸餾硫化法除砷銻

從理論上分析了采用真空蒸餾硫化法處理銅砷銻多元合金除As,Sb的可行性,并通過實驗探討了加硫量、蒸餾溫度、蒸餾時間對As,Sb脫除效果的影響。

石墨輔助NbSe2納米棒的制備及其摩擦學性能

將石墨、鈮粉、硒粉按配比稱取,置于密閉體系中,于750℃下,固相反應制備出二硒化鈮納米棒,并使用X射線衍射、能量散射譜、掃描電鏡和透射電鏡對其進行結構形貌進行表征。

氣壓及偏壓對磁控濺射TaN薄膜力學性能影響

采用電子回旋共振增強磁控濺射在不銹鋼基體上制備六方相TaN薄膜,并研究了氣壓及偏壓對TaN薄膜結構、力學性能的影響。

納米α-Fe2O3的原位生長及其場發(fā)射性能研究

采用空氣熱氧化法在鐵基片上原位生長納米α-Fe2O3,并通過掃描電鏡、X射線衍射、場發(fā)射等對600℃下氧化不同時間所制得樣品的形貌、結構、場發(fā)射性能進行表征和分析。

離子鍍Ti(1-x)AlxN涂層的形貌及力學性能研究

等離子體輔助鋁誘導納米硅制備多晶硅的研究

將納米硅誘導源和等離子體輔助退火工藝相結合, 對于鋁誘導法獲得大晶粒、高質量的多晶硅薄膜具有十分重要的意義。

WC/DLC納米多層膜微觀結構研究

陽極層流型氣體離子源與非平衡磁控濺射復合技術沉積制備WC/DLC納米多層膜,并在膜/基間設計了中間過渡層。

Ta和Ag離子雙注入Ti6Al4V合金抗Hank’s溶液腐蝕性能研究

采用Ta和Ag離子雙注入對醫(yī)用Ti6Al4V合金進行表面改性,以Ta離子1.5×1017ions/cm2先注入,Ag離子1×1017ions/cm2后注入合金樣品表面。

La摻雜對CdS薄膜性能的影響

采用化學水浴法在玻璃襯底上制備了純CdS薄膜和稀土La摻雜的CdS薄膜,在氮氣氣氛中對薄膜進行熱處理

IVA元素摻雜的ZnO的電學和光學性質

基于密度泛函理論的總體能量平面波模守恒贗勢方法,對摻雜Si、Ge、Sn的ZnO的電導率和光學性質進行了理論研究。

CdSe量子點/PVK復合電雙穩(wěn)器件的制備及載流子輸運性能研究

對電流-電壓曲線和電容-電壓曲線展開討論,驗證器件的載流子捕獲與釋放機制,闡述載流子在該器件的輸運機制。

CASTOR托卡馬克邊緣溫度漲落與密度漲落的特殊關系

在CASTOR托卡馬克邊緣,通過對能量分布函數(shù)b-i Maxwell分布電子的溫度漲落和密度漲落的研究。

應用差分液相色譜/原子熒光法提高砷形態(tài)標準曲線的相關系數(shù)

當用液相色譜-原子熒光(HPLC-AFS)分析砷形態(tài)時,如果樣品中包含保留時間接近的形態(tài),將導致色譜峰部分重疊。

壓縮超級像素遺傳算法重現(xiàn)離軸電子全息圖

對重現(xiàn)離軸電子全息圖的遺傳算法進行了研究,討論了參考波波矢和超級像素尺寸對重現(xiàn)結果的影響規(guī)律,并在此基礎上對遺傳算法進行了改進。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的研究

以電子束真空熔煉直接定向凝固技術制備5N 高純銅大鑄錠為研究目標, 利用電子束熔煉原材料, 熔體直接定向凝固后得到高純銅鑄錠。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的氧氫元素去除效果

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的有了較大幅度的下降。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的金屬雜質去除效果

電子束精煉直接定向凝固獲得的高純銅, 含量較高的22 種雜質元素總量降低至2.765 *10- 6, 銅鑄錠純度提高至99.9997235% , 為5N 高純銅。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的凝固組織及晶粒取向

經過電子束精煉直接定向凝固得到直徑59 mm*139 mm 高純銅圓鑄錠。沿其側面剖切開表現(xiàn)出高純特點的定向凝固組織通過X 射線衍射(XRD) 研究了晶粒取向的變化。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的實驗過程

以電子束真空熔煉直接定向凝固技術制備5N 高純銅大鑄錠為研究目標, 利用電子束熔煉原材料, 熔體直接定向凝固后得到高純銅鑄錠。