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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

Ti-Al-Si-N涂層界面微結(jié)構(gòu)研究

采用多元等離子體浸沒(méi)離子注入與沉積裝置制備Ti-Al-Si-N涂層，借助X射線衍射儀、X射線光電子能譜、透射電子顯微鏡、納米探針和原子力顯微鏡等系統(tǒng)研究涂層界面微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能。
電弧離子鍍與磁控濺射復(fù)合技術(shù)制備Ti/TiN/TiAlN復(fù)合涂層的組織結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能

采用磁控濺射和電弧離子鍍技術(shù)，在高速鋼基體上制備了Ti/TiN/TiAlN復(fù)合涂層。采用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、顯微硬度計(jì)、微米劃痕儀等方法研究了鍍覆條件對(duì)復(fù)合涂層的形貌、組織結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響。
鈦表面等離子體氧化及其對(duì)細(xì)胞粘附增殖的影響

本試驗(yàn)在噴砂酸蝕工藝處理獲得的鈦片試樣表面進(jìn)行等離子體氧化，分析等離子體氧化后鈦試樣的表面形貌、化學(xué)組成、價(jià)鍵狀態(tài)、親水性和成骨細(xì)胞粘附增殖的情況。
原子層沉積制備VO2薄膜及特性研究

本文旨在利用ALD 技術(shù)，以VO(acac)2和O2分別作為釩源和氧源，以玻璃為基底，在實(shí)現(xiàn)飽和吸附的前提下，通過(guò)改變沉積條件以及退火條件來(lái)研究不同反應(yīng)溫度及退火條件對(duì)VO2薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響，為后續(xù)VO2薄膜進(jìn)一步研
ECR等離子體刻蝕增強(qiáng)機(jī)械拋光CVD金剛石

本文采用ECR等離子體刻蝕與機(jī)械拋光相結(jié)合的方法拋光CVD金剛石，并與單純的機(jī)械拋光CVD金剛石相比較，發(fā)現(xiàn)在機(jī)械拋光中增加ECR等離子體刻蝕能明顯增強(qiáng)機(jī)械拋光效率，特別是在機(jī)械拋光前期，組合拋光效率是機(jī)械拋光效
濺射氣壓對(duì)Li-W共摻雜ZnO薄膜性能的影響

本文主要在不同濺射氣壓制備得到Li-W共摻雜薄膜(LWZO) ，分析了濺射氣壓對(duì)LWZO薄膜的結(jié)晶性能、表面形貌、光學(xué)性能的影響以及電學(xué)性能的影響。
銀修飾氮摻雜TiO2薄膜的制備及光催化性能研究

本文采用磁控濺射法制備不同Ag含量的氮摻雜TiO2薄膜，并分析其形貌結(jié)構(gòu)、表面元素化學(xué)態(tài)、光學(xué)性能以及可見(jiàn)光催化活性，研究Ag的含量對(duì)薄膜性能的影響。
行星周轉(zhuǎn)鍍膜裝置設(shè)計(jì)

針對(duì)現(xiàn)有的蒸鍍圓柱形腔體杜瓦鍍膜工藝存在工藝繁瑣、膜層不均勻等問(wèn)題，設(shè)計(jì)了行星周轉(zhuǎn)鍍膜裝置。
電子束蒸發(fā)TiO2膜通氧量對(duì)薄膜光學(xué)性能的影響

文章研究了離子束輔助電子束蒸發(fā)鍍制TiO2薄膜的通氧量對(duì)薄膜性能的影響，獲得最優(yōu)的鍍制工藝以及最好的薄膜光學(xué)特性。
高溫真空鍍膜夾具的設(shè)計(jì)

對(duì)于要求整面鍍膜的大規(guī)格玻璃面板，鍍膜環(huán)境為高溫的情況下，采用傳統(tǒng)夾子夾持的方法，不能滿足大規(guī)格玻璃整面鍍膜的需要。提出一種新的思路，并設(shè)計(jì)了新夾具解決此問(wèn)題。
多層HfO2/Al2O3薄膜基電荷陷阱存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)特性研究

本文利用多層HfO2/Al2O3薄膜作為存儲(chǔ)層，借助脈沖激光和原子層沉積系統(tǒng)制備電荷陷阱存儲(chǔ)器件，并對(duì)器件的存儲(chǔ)特性進(jìn)行了系統(tǒng)分析。
等離子噴涂涂層微觀結(jié)構(gòu)的蒙特卡羅模擬

本文使用蒙特卡羅方法建立隨機(jī)模型預(yù)測(cè)等離子噴涂涂層顯微結(jié)構(gòu)及其孔隙率和粗糙度，并研究工藝參數(shù)對(duì)涂層孔隙率和表面粗糙度的影響。
氬氣/空氣輝光放電對(duì)聚乙烯薄膜的表面改性研究

利用氬氣/空氣混合氣體輝光放電對(duì)聚乙烯(PE) 材料表面改性。
預(yù)熱處理前驅(qū)體后硫化溫度對(duì)Cu2ZnSnS4薄膜性能影響的研究

本文在優(yōu)化過(guò)的預(yù)熱處理?xiàng)l件的基礎(chǔ)上研究了不同硫化溫度對(duì)于制備的CZTS薄膜性能的影響。
DC-HCPCVD法低溫低壓下納米金剛石膜的制備及生長(zhǎng)特性研究

本文在CH4/H2氣氛下，在低溫低壓下低成本生長(zhǎng)納米金剛石膜，研究所得納米金剛石膜的組成結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，擴(kuò)展直流熱陰極PCVD法納米金剛石膜制備工藝。
倒圓錐面基底蒸發(fā)鍍膜均勻性理論分析

通過(guò)計(jì)算得出了蒸發(fā)源位于倒圓錐面正下方外部鍍膜時(shí)錐面上各點(diǎn)的膜厚方程，并對(duì)整個(gè)錐面上膜厚均勻性進(jìn)行了理論分析。
FePtAg-C納米顆粒薄膜的制備及表征

利用磁控濺射法在熱氧化硅基片上成功制成了FePtAg-C顆粒薄膜(其中有MgO籽層)，并利用XRD、SQUID和TEM分別表征其織構(gòu)、磁性和微觀形貌。
Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脈沖激光沉積

本文采用PLD技術(shù)，在Si(111) 基片上制備Mg2Si薄膜，研究PLD工藝參數(shù)對(duì)Mg2Si薄膜制備的影響，通過(guò)工藝優(yōu)化制備得到純相、結(jié)構(gòu)均勻、表面平整的Mg2Si薄膜。
NaCl結(jié)構(gòu)VC薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中原子遷移的第一性原理研究

本文采用第一原理計(jì)算的方法研究了C和V原子在NaCl 結(jié)構(gòu)VC 表面和晶體內(nèi)部(111) 面上的遷移條件，并在此基礎(chǔ)上討論了工藝參數(shù)對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響。
MgxZn1-xO薄膜的紅外光譜及其表面浸潤(rùn)性

本文采用溶膠-凝膠法制備了不同Mg 含量MgxZn1-xO薄膜，研究了Mg 含量對(duì)MgxZn1-xO薄膜微結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。