真空應(yīng)用
推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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透氣真空快速泥水分離技術(shù)室內(nèi)模型試驗(yàn)研究
透氣真空快速泥水分離技術(shù)適用于高含水率高粘粒含量疏浚淤泥的堆場(chǎng)處理,可以快速減小堆場(chǎng)中淤泥的體積,加速堆場(chǎng)的周轉(zhuǎn)利用,并能解決常規(guī)真空處理方法中存在的濾層淤堵問(wèn)題。
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專家系統(tǒng)中知識(shí)庫(kù)與工藝曲線動(dòng)態(tài)修改的研究
介紹了精密復(fù)雜刀具真空熱處理專家系統(tǒng)中知識(shí)的表示和知識(shí)庫(kù)的構(gòu)建；總結(jié)了影響真空熱處理工藝參數(shù)的因素
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織構(gòu)ZnO:Al與p-μc-Si:H薄膜接觸特性的研究
用PECVD法在不同織構(gòu)ZnO:Al上沉積了p-μc-Si:H薄膜，研究了不同織構(gòu)ZnO:Al 與p-μc-Si:H 薄膜的接觸特性
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磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復(fù)合薄膜及其鐵電鐵磁性研究
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4（CFO）層狀結(jié)構(gòu)磁電復(fù)合薄膜，測(cè)試結(jié)果顯示此磁電復(fù)合薄膜在室溫下同時(shí)存在鐵電性和鐵磁性
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中頻磁控反應(yīng)濺射AlN薄膜及微觀結(jié)構(gòu)研究
采用中頻磁控反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行了氮化鋁薄膜的制備，對(duì)沉積速率、晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌與氮?dú)饬髁亢蜑R射功率之間的變化關(guān)系進(jìn)行了研究
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微晶硅同質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)電池的數(shù)值模擬分析
采用太陽(yáng)電池電容模擬軟件（簡(jiǎn)稱SCAPS）對(duì)p-i-n結(jié)構(gòu)的微晶硅同質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)電池進(jìn)行了數(shù)值模擬。
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多孔ZnO 薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能研究
采用sol- gel提拉法，以聚乙二醇(PEG2000)為模板劑，醋酸鋅為前驅(qū)體，乙醇為溶劑，二乙醇胺為絡(luò)合劑，在玻璃基片上生長(zhǎng)了多孔ZnO 薄膜，利用SEM和紫外分光光度計(jì)分析了多ZnO 薄膜的表面形貌和光學(xué)性質(zhì)。
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磁控濺射法制備鐵氧體薄膜的界面結(jié)合強(qiáng)度研究
利用磁控濺射法在單硅晶基底和玻璃基底上沉積鐵氧體薄膜，采用AFM 觀察薄膜的微觀形貌，采用劃痕法測(cè)試薄膜的界面結(jié)合強(qiáng)度。
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不同真空預(yù)冷壓力對(duì)生菜儲(chǔ)藏質(zhì)量的影響
本試驗(yàn)設(shè)置不同真空預(yù)冷壓力冷卻生菜，預(yù)冷后的生菜在4℃、濕度(85%)的情況下儲(chǔ)存兩周，然后測(cè)量在整個(gè)貯藏期中生菜的質(zhì)量損失、維生素C、色差值變化。
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鍍膜設(shè)備真空系統(tǒng)主泵的配置
真空系統(tǒng)是真空鍍膜設(shè)備的主要組成部分，其主泵的選擇對(duì)真空性能影響很大，真空鍍膜設(shè)備的發(fā)展要求真空性能清潔無(wú)油，動(dòng)態(tài)抽速大.傳統(tǒng)的以油擴(kuò)散泵為主泵的設(shè)備不能滿足要求.
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物理氣相沉積(PVD)技術(shù)
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體(或等離子體)過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特
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磁控濺射技術(shù)無(wú)鉛金屬化技術(shù)在電子行業(yè)的應(yīng)用
磁控濺射是一種物理氣相沉積技術(shù)，工藝本身是一種環(huán)保技術(shù)，膜材的適應(yīng)性很廣，在綠色制造中由其明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
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