真空應(yīng)用
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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直流熱陰極PCVD法摻氮納米金剛石薄膜形貌及結(jié)構(gòu)的影響
采用直流熱陰極等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）技術(shù)，通過在CH4/H2的混合反應(yīng)氣源中通入不同流量的N2,合成了摻氮納米金剛石薄膜。
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CHN薄膜的制備方法與工藝研究
采用空心陰極等離子化學(xué)氣相沉積方法,以NH3/H2的混合氣體及CH4氣體為原料反應(yīng)氣體,成功地制備了非晶的CHN薄膜,研究了CHN薄膜的沉積速率與直流電壓及反應(yīng)氣體流量的關(guān)系。
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砂土物料真空吸送分離系統(tǒng)的設(shè)計與數(shù)值模擬
介紹了砂土物料真空吸送分離系統(tǒng)的設(shè)計原則，運用計算流體 動力學(xué)軟件對氣固兩相流的運動狀態(tài)進行了模擬，獲得了分離系統(tǒng)內(nèi)氣流壓力等值線圖和流跡，計算了分離系統(tǒng)的壓力損失。
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直流熱陰極PCVD法間歇生長模式間歇周期的研究
采用直流熱陰極PCVD方法間歇生長模式，在CH4-H2氣氛常規(guī)制備微米晶金剛石膜的參數(shù)條件下，利用人工干預(yù)二次形核工藝，研究了間歇周期變化對制備納米晶金剛石膜的影響。
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高粘度液體真空攪拌脫泡理論分析與計算
真空攪拌脫泡是高粘度液體的一種有效脫泡方式。對于高粘度液體中的氣泡, 單靠自身的浮力上升, 其速度是極其緩慢的, 攪拌槽內(nèi)生成的氣泡主要依靠攪拌被帶到近液面而逸出。
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局部抽真空對優(yōu)化擠出吹塑中空工業(yè)制件壁厚均勻性的研究
從擠出吹塑中空工業(yè)制件壁厚不均勻原因分析出發(fā), 提出擠出吹塑成型中局部抽真空的方法, 建立了抽真空系統(tǒng)。
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真空鍍膜機雙軸磁性液體密封的設(shè)計與實驗研究
為了解決真空鍍膜機雙軸密封問題, 對真空鍍膜機雙軸采用磁性液體密封, 設(shè)計了磁性液體密封整體結(jié)構(gòu)、密封極齒和永久磁鐵。
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BEPCⅡ真空內(nèi)扭擺磁鐵波紋管RF屏蔽結(jié)構(gòu)的改進
BEPCⅡ真空內(nèi)扭擺磁鐵的波紋管在電子束流的高流強運行中發(fā)生了損傷和真空泄漏。對損傷原因進行了分析,懷疑是波紋管RF屏蔽結(jié)構(gòu)的彈簧片與接觸套之間存在間隙,導(dǎo)致了高次模泄漏。
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Al2O3緩沖層對以ZnO∶Al為陽極的有機電致發(fā)光器件性能的影響
采用直流磁控濺射法制備ZnO∶Al(AZO)透明導(dǎo)電薄膜,薄膜電阻率為5.3×10-4Ω.cm,可見光區(qū)平均透過率大于85%。
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線性化AlGaN/GaN HEMT費米能級與二維電子氣密度關(guān)系的解析模型
通過化簡復(fù)雜非線性的費米能級EF與二維電子氣密度ns關(guān)系,并利用化簡后函數(shù)的一階泰勒多項式建立了線性化AlGaN/GaN HEMT中EF與ns關(guān)系的解析模型。
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