真空應(yīng)用
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傳輸法模擬濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性
利用傳輸法把濾波器型輸出回路等效為雙端口微波網(wǎng)絡(luò)問題,通過理論分析,數(shù)值模擬和冷測實驗證明了S21平方后的曲線能定性反映濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性。
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改進的AlGaN/GaN HEMT小信號參數(shù)提取算法
制作了截止頻率ft和最高震蕩頻率fmax分別為46.2和107.8 GHz的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管,并針對該器件建立了包含微分電阻Rfd和Rfs在內(nèi)的18元件小信號等效電路模型;在傳統(tǒng)的冷場條件提取器件寄生參數(shù)的基礎(chǔ)上,通過
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帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的研究
建立了帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的三維物理模型。采用保留金屬格柵槽區(qū)內(nèi)高次模式的方法,將電磁場表示為本征模級數(shù)和的形式,運用Borgnis函數(shù)法和場匹配法推導了注波互作用結(jié)構(gòu)的混合模色散方程。
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基于C-W復合膜/無定形碳納米島的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射陰極
介紹了基于C-W復合膜/無定形碳納米島的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射陰極,并對其制備工藝和發(fā)射性能進行討論。
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紅土鎳礦真空碳熱還原過程中硅的揮發(fā)行為
為了解紅土鎳礦在真空碳熱還原過程中SiO2的還原特性和還原過程的主要影響因素,在系統(tǒng)壓力2~200 Pa下,以分析純的SiO2、Fe2O3以及煤炭為原料,在熱力學分析的基礎(chǔ)上,采用X射線衍射、掃描電子顯微鏡-能量散射譜和化學成
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真空條件下含銀鉛銻多元合金中銻的蒸發(fā)行為研究
根據(jù)真空冶金原理,以選擇性分離銀銻為目的,采用真空蒸餾法研究含銀鉛銻多元合金在真空(5~25 Pa)的條件下蒸餾過程中Sb的蒸發(fā)行為,考察蒸餾溫度、蒸餾時間、多元合金中其它組元對銻蒸發(fā)的影響;并測定了不同溫度下Sb元
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變溫變壓的優(yōu)化組合對扇貝真空冷凍干燥過程影響的實驗研究
為了獲得調(diào)壓調(diào)溫的優(yōu)化組合對櫛孔扇貝真空冷凍干燥過程的品質(zhì)、能耗和時間的綜合影響,在前期研究的基礎(chǔ)上,本文對兩次變溫和一次變壓的溫度和壓力組合參數(shù)進行了五因素四水平的正交組合試驗
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共濺射法制備的Pt-C薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和電化學性能的研究
用共濺射的方法制備了Pt-C薄膜,薄膜由Pt納米粒子和非晶C組成。電子顯微鏡和X射線衍射的測試結(jié)果顯示Pt納米粒子鑲嵌在非晶C之中。
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脈沖激光沉積濺射工藝對CIGS薄膜成分和結(jié)構(gòu)的影響
采用脈沖激光沉積濺射法在玻璃襯底上制備Cu-In-Ga預(yù)制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,得到CIGS薄膜。采用X射線衍射儀表征了薄膜的晶體結(jié)構(gòu),采用掃描電子顯微鏡和能量散射譜觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子
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Cu薄膜三維生長的Monte Carlo模擬
利用蒙特卡羅(Monte Carlo)方法模擬了Cu薄膜在四方基底上的三維生長過程。模型中考慮了三個主要的原子熱運動過程:原子沉積、原子擴散、原子脫附,各過程發(fā)生的概率是由各運動的速率來決定的。
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直流磁控濺射法低溫制備GZO:Ti薄膜及其光電性能研究
用直流磁控濺射法在玻璃襯底上成功制備出了鈦鎵共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)透明導電薄膜,研究了濺射壓強和功率對GZO:Ti薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。
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本底真空度和殘余氣體對集成電路金屬薄膜淀積的影響
研究表明設(shè)備真空腔體微漏和極微量的殘余氣體對Al,W 金屬薄膜質(zhì)量影響很大。從設(shè)備的角度提出改善真空度、減少殘余氣體的措施, 這些措施在實際生產(chǎn)中得到了驗證和應(yīng)用, 達到減少設(shè)備停機 時間, 減少產(chǎn)品缺陷, 提高
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新法真空鋁熱還原煉鎂的研究
對以煅后白云石和煅后菱鎂石為原料,以鋁粉為還原劑的新法煉鎂技術(shù)的熱力學進行了分析,并進行了真空熱還原實驗。通過X射線衍射和掃描電子顯微鏡對還原渣的主要物相與物質(zhì)形態(tài)進行了分析。
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氧化鎂真空碳熱還原法煉鎂的工藝研究
采用物料失重率、金屬Mg還原率、X射線衍射(XRD)與掃描電子顯微鏡(SEM)等手段與方法,研究了真空條件下氧化鎂碳熱還原溫度、物料造球成型壓力、物料配比、碳熱還原保溫時間以及催化劑對氧化鎂碳熱還原法煉鎂工藝的影響
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