真空應(yīng)用
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真空滲碳及碳氮共滲技術(shù)近況和應(yīng)用
在簡(jiǎn)述真空滲碳及碳氮共滲近況的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)介紹了乙炔真空滲碳及乙炔、氨氣真空碳氮共滲的效果及應(yīng)用。
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真空開關(guān)電弧形態(tài)幾何特性量化實(shí)驗(yàn)研究
為了研究真空開關(guān)電弧形態(tài)特性,針對(duì)真空開關(guān)電弧特點(diǎn)和電弧特性,設(shè)計(jì)并建立了一套以可拆卸真空滅弧室的真空開關(guān)電弧實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。
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基于正交試驗(yàn)法TiO2納米薄膜的制備及光電性能的研究
以商業(yè)TiO2納米粉為原料,將其充分研磨得到膠體,用刮涂和熱處理的方法在氟摻雜氧化錫導(dǎo)電玻璃基底上制備TiO納米多孔薄膜陽極,并組裝成染料敏化太陽能電池。
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基于PDMS微結(jié)構(gòu)模板轉(zhuǎn)印技術(shù)的研究
基于界面間粘附能理論,結(jié)合有限元模擬研究聚二甲基硅氧烷(PDMS)微結(jié)構(gòu)模板實(shí)現(xiàn)聚合物SU-8光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移復(fù)制的轉(zhuǎn)印機(jī)理,分析了微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印過程中基底表面能、壓力和SU-8膠溶劑對(duì)圖形轉(zhuǎn)印的影響。
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冷噴涂Cu-Cu2O涂層微觀結(jié)構(gòu)與沉積特性
本實(shí)驗(yàn)通過冷噴涂技術(shù)制備了Cu2O的質(zhì)量含量分別為0%,10%,20%和30%的四種Cu-Cu2O涂層。
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磁耦合定向耦合器仿真設(shè)計(jì)
在分析波導(dǎo)中場(chǎng)模式基礎(chǔ)上,通過仿真計(jì)算和優(yōu)化,得出影響定向耦合器磁耦合的主要因素,并在此基礎(chǔ)上提出利用磁環(huán)耦合設(shè)計(jì)雙耦合度定向耦合器和可變耦合度的定向耦合器的設(shè)想。
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多注行波管PPM聚焦磁場(chǎng)設(shè)計(jì)方法研究
對(duì)多注行波管周期永磁(PPM)聚焦結(jié)構(gòu)中橫向磁場(chǎng)的分布規(guī)律進(jìn)行了研究, 模擬分析了多注PPM聚焦系統(tǒng)中橫向場(chǎng)的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱特性, 并對(duì)該系統(tǒng)中的電子流通率進(jìn)行了分析。
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真空制鹽后期生產(chǎn)巧用石膏母液初探
鈣型巖鹽鹵水,在未完全采用鹵水凈化設(shè)施的生產(chǎn)條件下,如何解決真空制鹽生產(chǎn)后期石膏含量高的問題,是業(yè)內(nèi)長(zhǎng)期研討的話題。
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多弧離子鍍TiN/TiCrN/CrN多元多層復(fù)合膜的制備及性能研究
采用XH-800多弧離子鍍?cè)O(shè)備在硬質(zhì)合金刀具表面制備TiN/TiCrN/CrN多元多層復(fù)合膜。
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高速微晶硅薄膜沉積功率利用效率的測(cè)量與優(yōu)化
為了實(shí)現(xiàn)低成本微晶硅薄膜的高速沉積,需要盡可能的優(yōu)化工藝參數(shù),特別是提高功率利用效率對(duì)于降低生產(chǎn)成本,以及提高工藝穩(wěn)定性都具有重要的意義。
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不同壓強(qiáng)時(shí)等離子體宏觀不穩(wěn)定性的數(shù)值模擬
為了數(shù)值模擬不同等離子體壓強(qiáng)和不同角向模數(shù)時(shí),磁流體不穩(wěn)定性的演化規(guī)律,本文通過傅里葉變換,將理想磁流體方程組轉(zhuǎn)化為兩個(gè)一階微分方程。
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