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真空應用

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

大尺寸ZnS真空氣相沉積爐的研制

介紹了CVD ZnS 生產(chǎn)工藝、真空氣相沉積爐技術(shù)性能、設(shè)備結(jié)構(gòu)組成及特點。該真空氣相沉積爐是制備大尺寸ZnS 的關(guān)鍵設(shè)備。
高壓真空開關(guān)管黃斑現(xiàn)象的剖析

為分析高壓真空開關(guān)管黃斑現(xiàn)象，在本文中介紹了原因分析過程———運用掃描電鏡、X 射線熒光測厚等分析方法進行了分析，結(jié)合生產(chǎn)實踐進行了相應的工藝實驗，找到了引起黃斑現(xiàn)象的原因和解決措施。
卷心菜真空預冷方式的實驗研究

本文選取卷心菜為研究對象，研究了其適宜的預冷終壓，對直接真空預冷、噴水真空預冷、噴水加保鮮膜預冷和表面包覆吸水膜等真空預冷方法進行了降溫效果和失水率的實驗對比。
ITO 薄膜方塊電阻測試方法的探討

針對ITO 薄膜方塊電阻測試方法，文章探討了常規(guī)的四探針法與雙電測四探針法在實際生產(chǎn)中的適應性、準確性。根據(jù)玻璃基板上的ITO 薄膜和聚脂薄膜上的ITO 薄膜的結(jié)構(gòu)、物理特性不同特點，測試方塊電阻時應注意的細節(jié)作
2024鋁合金獲得高強韌性的冷軋真空熱處理工藝

本文利用拉伸實驗機、透射電子顯微鏡以及EDS 能譜分析等現(xiàn)代化實驗分析手段，研究一種能對2024 合金工業(yè)化生產(chǎn)起指導意義的熱處理工藝，使該合金同時具有高的強度和較高的伸長率。
中頻磁控濺射TiAlN薄膜的制備與性能研究

本文采用中頻磁控濺射法，在硬質(zhì)合金YG6上制備了TiAlN薄膜，通過XRD、SEM、EDS、體式顯微鏡、顯微硬度儀和劃痕儀分別對薄膜的相結(jié)構(gòu)、表面與斷口形貌、成分以及主要性能進行了測試分析。
真空冷凍干燥超細杜仲粉體的研制

本文對真空冷凍干燥超細杜仲粉體的研制方法、技術(shù)、設(shè)備及檢測質(zhì)量控制等作了闡述。
氫化非晶硅薄膜制備及其橢圓偏振光譜測試分析

本文采用射頻磁控濺射法制備了a-Si:H 薄膜，通過橢圓偏振光譜對不同氣壓下薄膜的厚度、折射率和消光系數(shù)進行了測試和研究。
旋轉(zhuǎn)圓柱磁控濺射陰極設(shè)計和磁場強度分析計算

本文應用ANSYS 有限元方法模擬分析單旋轉(zhuǎn)圓柱靶和孿生旋轉(zhuǎn)圓柱磁控濺射陰極表面磁場分布規(guī)律。
電推進器在GEO靜止衛(wèi)星上的安裝策略

本文研究了分別在三軸穩(wěn)定衛(wèi)星的太陽電池陣列上和衛(wèi)星星體上安裝電推進器時電推進器的安裝布局，為GEO靜止衛(wèi)星電推進器的安裝布局提供解決策略，從而為衛(wèi)星結(jié)構(gòu)設(shè)計提供參考。
電子束物理氣相沉積熱障涂層抗沖蝕性能研究

通過AIP和EB-PVD技術(shù)制備的熱障涂層，在其抗沖蝕性能評價方面仍然沒有詳細的報道。為此，本研究利用AIP法制備HY3涂層，利用EB-PVD制備YSZ陶瓷面層，對其組分、相結(jié)構(gòu)和抗沖蝕性能進行系統(tǒng)研究，并對評價設(shè)備作介紹。
共濺射法制備Cu摻雜ZnO薄膜結(jié)構(gòu)及性能的研究

本文通過采用新的制備方法(直流- 射頻雙靶共濺射)成功制備出Cu摻雜的p 型ZnO薄膜。并分析了Cu靶濺射功率與氧分壓對薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。
濺射鍍膜機理

濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進行能量交換的過程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動。
濺射鍍膜現(xiàn)象

具有一定能量的離子入射到靶材表面時，入射離子與靶材中的原子和電子相互作用，出現(xiàn)一系列濺射鍍膜現(xiàn)象，其一是引起靶材表面的粒子發(fā)射，包括濺射原子或分子、二次電子發(fā)射、正負離子發(fā)射、吸附雜質(zhì)解吸和分解、光子
襯底材料對空心陰極沉積氫化微晶硅薄膜的影響

研究了襯底材料對微晶硅薄膜生長的影響，并在低溫下制備出微晶硅薄膜，這個對于柔性基材尤為重要。具有高等離子體密度和低電子溫度的空心陰極等離子體增強化學氣相沉積(MHC-PECVD)被用來生長微晶硅薄膜。
Cu（In,Al）（S,Se）2薄膜的三靶共濺射制備與性能表征

本文采用磁控三靶(CuIn0.7Al0.3靶、Al靶、Cu靶)共濺射的工藝制備了CIA合金預制膜，以濺射的方式引入摻雜的Al元素。之后再經(jīng)過不同溫度和時間下的固態(tài)源硫硒化退火，以期研究制備出具有黃銅礦結(jié)構(gòu)特征的CIASSe薄膜。
柵絕緣層過孔的反應離子刻蝕研究

本文是在現(xiàn)有ADS產(chǎn)品工藝流程的基礎(chǔ)上，將Active層與GI層合并，采用兩步法進行GIHole刻蝕。
聚碳酸酯基片超疏水表面的制備與表征

本文將以PC為基片，通過氧氣等離子體刻蝕和表面氟化處理來獲得PC基片的超疏水表面，并從表面形貌結(jié)構(gòu)和表面化學組成兩方面來分析PC基片超疏水化的過程以及磨損失效的原因。
鐵氧體表面耐高溫Ni-V/Ag復合金屬化薄膜的研究

在現(xiàn)有研究的基礎(chǔ)上，提出了以磁控濺射Ni-V/Ag復合層作為鐵氧體的金屬化膜層，進一步將薄膜承受420℃高溫無鉛焊錫的時間提升到10s，并詳細研究了高溫下Ni-V/Ag膜層與焊錫的反應過程與金屬間化合物(IMC)。
欠氧化氣氛下等離子體輔助脈沖直流磁控濺射高純度Al2O3薄膜

本文首先采用中頻孿生靶非平衡閉合磁場脈沖直流反應磁控濺射方法，進行了Al2O3薄膜的工藝研究，包括濺射電壓與氧流量的關(guān)系。在此基礎(chǔ)上，提出了射頻等離子體輔助濺射的方法，研究了射頻等離子體源功率與Al2O3光學性