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真空蒸餾從錫鉛銻合金中提取錫的研究

本文從理論和實驗角度對錫鉛銻三元合金真空蒸餾分離可行性進行驗證，對影響真空蒸餾分離效果的因素進行了分析，并通過正交實驗直觀分析法探索了最佳工藝條件，以期獲得能夠指導工業(yè)生產(chǎn)的基本規(guī)律。

真空二極管陰極表面場致發(fā)射模型的研究

本文建立了真空二極管陰極表面的場致發(fā)射模型，先在二極管間隙區(qū)求解泊松方程得到電勢和空間電場分布，然后基于高斯定理模型計算出場致發(fā)射過程中陰極表面的電場。

預(yù)處理對羅非魚片凍干特性影響的試驗研究

本文以羅非魚片為實驗材料，探索預(yù)凍速度及其預(yù)處理試劑浸漬處理與凍干羅非魚片品質(zhì)保持之間存在的依變關(guān)系，為羅非魚片及其它水產(chǎn)類食品的真空冷凍干燥加工及其外部條件的優(yōu)化設(shè)計提供參考。

一種真空硅熱法煉鋰新方法的探索性研究

本文提出以氫氧化鋰、氧化鋁和氧化鈣為原料合成富鋰的Li5AlO4熟料，然后以硅鐵為還原劑進行真空還原的煉鋰新工藝。旨在探索一種高效低料鋰比的真空熱法煉鋰工藝。

微秒脈沖激光誘導硅表面微結(jié)構(gòu)的研究

本文提出了采用價格低廉的微秒脈沖激光輻照硅表面，來制備具有微米量級錐形結(jié)構(gòu)的硅表面。

濺射膜電極與氧化鋅壓敏陶瓷的界面機制研究

利用濺射法制備半導體陶瓷表面的電極有著廣闊的產(chǎn)業(yè)化前景，但關(guān)于濺射膜電極與陶瓷表面的界面機制研究尚鮮有報道。本文采用磁控濺射法在ZnO壓敏陶瓷表面制備了Cr+Cu電極，通過X射線光電子能譜等技術(shù)研究分析了Cr/Zn

基于PIV技術(shù)真空開關(guān)電弧流場實驗研究

本文針對真空開關(guān)電弧研究現(xiàn)狀，開展了基于PIV 技術(shù)電弧實驗研究。獲得真空電弧的速度分布及粒子的運動軌跡，同時顯示了電弧在電磁作用下的渦流場，為真空開關(guān)電弧流場研究提供了新的試驗技術(shù)手段。

層狀Cr2AlC納米晶的合成及其摩擦學行為

本工作以Cr、Al、石墨單質(zhì)為原料，通過優(yōu)化混料方式( 磁力攪拌混料) ，采用無壓燒結(jié)方法合成了Cr2AlC粉末，開展了Cr2 AlC 納米材料在潤滑油中摩擦學性能的研究。

不同調(diào)制周期TiAlSiN/Mo2N 層膜的微觀結(jié)構(gòu)、力學和摩擦性能研究

本文利用射頻磁控濺射法制備一系列不同調(diào)制周期的TiAlSiN/Mo2N 薄膜，研究其微結(jié)構(gòu)、力學性能和摩擦性能。

Ag超薄膜生長的動力學蒙特卡羅模擬

本論文采用二維動力學蒙特卡羅的方法模擬了Ag薄膜在Pt(111)上的生長過程，并將仿真結(jié)果與國外已報道的實驗結(jié)果進行了比較，從而證明計算機仿真模型的合理性。進一步地，通過計算機模擬預(yù)測了島形貌明顯轉(zhuǎn)變的溫度區(qū)

FeCoB-Al2O3軟磁顆粒膜磁特性研究

為了獲得軟磁顆粒膜，本實驗采用了更易控制薄膜成分的射頻雙靶共濺射制備了一系列的( Fe40Co40B20)1 - x( Al2O3)x軟磁顆粒膜。通過振動樣品磁強計( VSM) 以及矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀( VNA) 的測量，研究了基片轉(zhuǎn)速、濺射氣壓

Ti/TiB2多層膜在Hank’s 模擬體液中耐蝕性研究

采用磁控濺射法在醫(yī)用鈦合金Ti6Al4V 和硅基體上沉積了Ti /TiB2多層膜。通過X 射線衍射儀分析了薄膜的相結(jié)構(gòu)，采用掃描電鏡觀察了薄膜的表面形貌和斷面多層結(jié)構(gòu)，利用電化學法研究了Ti /TiB2多層膜在Hank’s 模擬體液

ZrB2體材及薄膜制備技術(shù)研究

本研究采用冷等靜壓成型加高溫燒結(jié)的方法制備ZrB2塊材，并采用磁控濺射技術(shù)在UO2燃料芯塊表面制備ZrB2膜層，為一體化可燃毒物的制備奠定基礎(chǔ)。

真空技術(shù)在新型醫(yī)療器械中的應(yīng)用價值探討

銀離子注入ABS樹脂抗菌性能研究

本文采用金屬蒸汽真空弧(MEVVA)離子源進行注入，采用具有優(yōu)異綜合性能的工程塑料ABS 樹脂作為基底，對改性前后的材料進行XPS，Raman 表征，以此分析研究材料的表面成分;通過測量改性前后樣品的水接觸角，來檢測材料

新型真空電弧精煉爐

新型La2Zr2O7環(huán)境障涂層的1300℃熱沖擊行為研究

采用化學氣相沉積和原位合成工藝在Cf/SiC 基體上制備了Si/3Al2O3·2SiO2/La2Zr2O7 新型環(huán)境障涂層，研究了EBC 涂層在1300 ℃的抗熱沖擊性能。

小靶材實現(xiàn)大平面基片均勻性膜層沉積的方法

本文針對常規(guī)磁控濺射設(shè)備存在的上述問題，提出了一種新的思路，設(shè)計改造了一種新型布局的磁控濺射設(shè)備，以解決小靶材濺射在較大基底沉積均勻性膜層的難題。

稀土Dy摻雜ZnTe薄膜光學性能及其XPS研究

本文利用真空蒸發(fā)雙源法制備了稀土元素Dy摻雜ZnTe薄膜，發(fā)現(xiàn)摻雜并沒有改變薄膜的物相結(jié)構(gòu)，但對薄膜的結(jié)晶、形貌及光學性質(zhì)產(chǎn)生了明顯影響，為CdTe太陽電池背接觸層的進一步發(fā)展提供了實驗依據(jù)。

雙排全幅寬無間隔布局快速蒸發(fā)ZnS鍍膜技術(shù)的研究

本文詳細介紹了雙排全幅寬無間隔布局快速蒸發(fā)ZnS 鍍膜技術(shù)的工作原理、結(jié)構(gòu)組成、性能特點和創(chuàng)新設(shè)計要點。分析并指出影響ZnS 鍍膜質(zhì)量、生產(chǎn)效益的主要因素和解決途徑。