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紅外高發射率ZnO:Al 粉末的制備

本文用簡單的固相法制備了ZAO 粉末, 研究了不同Al 摻雜濃度、煅燒溫度以及預煅燒和二次煅燒對其紅外發射率的影響。

二維亞波長結構石英紫外壓印模板的制備

利用紫外光刻和反應離子刻蝕技術在石英襯底上制備二維亞波長結構的壓印模板, 并對模板進行表面修飾。研究了主要刻蝕工藝參數對刻蝕速率及刻蝕形貌的影響。

造渣氧化精煉提純冶金級硅研究進展

本文對目前造渣氧化精煉冶金級硅制備太陽能級硅的最新研究進展作了較為全面的闡述。

磁控濺射MoS2/W復合薄膜的微結構與摩擦學性能研究

采用磁控濺射法, 用純MoS2/ W 雙靶在模具鋼Cr12 和硅基片上濺射MoS2/ W 復合納米薄膜, 通過X 射線衍射儀、能譜儀、掃描電子顯微鏡對薄膜的成分和結構進行分析。

沉積氣壓對納米晶硅薄膜晶化率與電輸運性能的影響

采用熱絲化學氣相沉積法在不同氣壓( 1~8Pa) 下沉積了p型納米晶硅薄膜, 研究了沉積氣壓對薄膜晶化率和電輸運性能的影響。

超短電子脈沖展寬的外場依賴性分析

根據已有文獻研究結果, 建立了Boersch 效應電子脈沖展寬物理分析模型, 確立了以時間彌散特征參量為核心參數的電子脈沖展寬表征理論, 以此為基礎分析了超短電子脈沖展寬對外場的依賴性。

Ka波段二次諧波回旋速調管放大器的優化設計與分析

設計了一支Ka波段二次諧波回旋速調管放大器, 并利用基于廣義電報方程的時域自洽非線性理論模型, 對設計的回旋速調管進行了數值模擬。

GaAs-玻璃粘接透射式陰極光電發射在線穩定性研究

Al-Sn共摻雜ZnO薄膜的結構與光電性能研究

在固定ZnO:Al(AZO) 靶濺射功率不變的條件下, 研究了Sn 靶濺射功率對ATZO 薄膜的結晶質量、表面形貌、電學和光學性能的影響。

高功率脈沖磁控濺射電源的研制

本論文介紹了一種HPPMS高功率脈沖磁控濺射電源, 該電源由充電電源、斬波輸出兩部分組成, 給出了主電路框圖。

當前制約真空玻璃發展的三大瓶頸

當前制約真空玻璃發展的三大瓶頸主要為安全、自動化及性價比。

真空玻璃的生產工藝及主要設備

本文主要講述了真空玻璃的生產工藝及主要設備。

真空玻璃的使用壽命

所謂“真空玻璃使用壽命”是指真空玻璃隔層內的工作真空度(≤0.1 Pa)所能保持的時間。本文注意分析了導致工作真空度下降的主要因素。

真空玻璃的隔聲性能

本文講述了真空玻璃的隔聲性能。

真空壓縮袋怎么使用呢？真空壓縮袋的使用方法

本文主要講述了真空壓縮袋的正確使用方法及其使用時的注意事項。

真空玻璃隔熱原理分析及實驗

真空玻璃傳熱系數與真空壓強正相關,真空度決定真空玻璃隔熱性能;真空玻璃雙面鍍低輻射膜隔絕了較多的輻射熱交換,其效果比單面鍍膜好。

金屬導電細絲類有機存儲器的動態阻變過程

本文探討了具有雙極性轉變現象的Cu/P3HT:PCBM/ITO 結構中的動態阻變過程。

等離子體加強化學氣相沉積法(PECVD)制備石墨薄膜

本課題利用PECVD方法在銅箔上沉積出石墨薄膜。借助于光學顯微鏡，Raman 光譜，SEM 等手段對薄膜微觀結構及成分進行了分析。

AlMgB14-TiB2 納米復合涂層低摩擦機理的研究

為了進一步了解該復合涂層的微觀潤滑機制，使用磁控濺射技術分別制備了AlMgB14涂層和TiB2涂層，并使用共濺射技術制備了AlMgB14-TiB2納米復合涂層。

等離子體加強化學氣相沉積法(PECVD)制備石墨烯現狀及應用研究發展

利用PECVD方法制備石墨烯具有基本溫度低，成膜質量好，生長面積大，透明度高等特點，近年來逐漸成為制備高質量石墨烯的發展方向。