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壓電陶瓷閥特性在反應濺射AlN參數設置中的應用

本文主要講述了壓電陶瓷閥特性在反應濺射AlN參數設置中的應用。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率

本文描述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率實驗情況。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的溫度特性

本文講述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的溫度特性。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的遲滯特性

本文講述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的遲滯特性。

壓電陶瓷閥在真空磁控反應濺射中的特性

在真空磁控濺射鍍膜線上, 采用PCV25型壓電陶瓷閥作為反應氣體流量輸出的驅動元件。研究了不同環境溫度下壓電閥偏置電壓Vo對N2輸出流量Q的影響。

基于多晶硅的曲面高反膜研究

本文提出并初步實現一種提高等離子顯示面板(PDP) 出光率的多層干涉型反射膜。

工業微波磁控管開關電源系統設計

研究了磁控管驅動電源的設計方法。主電路采用諧振拓撲結構，易于實現軟開關，利用升壓高頻變壓器的漏感作為諧振電路的一部分，簡化了主電路設計。

磁過濾陰極電弧技術沉積高sp3鍵含量四面體非晶碳薄膜的工藝優化研究

通過對不同基片偏壓下磁過濾器電流對四面體非晶碳( ta-C) 薄膜sp3鍵含量影響的研究, 探討了磁過濾陰極電弧技術制備高sp3 鍵ta-C 薄膜優化工藝條件。

硬質合金表面TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N梯度膜的微結構與力學性能

采用多弧離子鍍技術, 使用Ti-Al-Zr合金靶和Cr單質靶, 在WC-8%CO硬質合金基體上制備了TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N多組元梯度膜。

晶體結構對Er/Yb共摻TiO2薄膜熒光光譜的影響

通過對不同退火溫度下Er/Yb共摻TiO2薄膜的結構和光致熒光光譜(PL) 的分析, 研究了退火處理所導致的晶體結構變化對薄膜熒光光譜的影響。

涂層結構對Ti-Al-N涂層氧化行為的影響

低出口壓力下噴嘴內部空化流動模擬分析

本文以真空噴射法制備聚合物薄膜為出發點, 利用Ansys Fluent 和Gambit 軟件對低壓力下平口噴嘴內的空化流動進行了模擬分析。

覆Os膜M型陰極高發射性能隨真空度變化的研究

本文開展了覆Os膜M型陰極高發射性能隨真空度變化的研究相關模擬研究。

休斯型耦合腔慢波結構正向設計初步研究

本文提出了一種耦合腔行波管慢波結構的快速設計方法, 可以初步確定滿足要求的耦合腔慢波結構尺寸。

不同間隙條件下同軸型介質阻擋放電的模擬與實驗研究

不同間隙條件下同軸型介質阻擋放電的模擬與實驗研究主要目的是為了研究氣體間隙大小對介質阻擋放電脫除NO 的影響。

Ka波段濾波器加載三間隙耦合腔輸出回路的仿真和測試

本文采用基于微波網絡理論的多間隙耦合腔輸出回路間隙阻抗冷測方法, 對Ka 波段濾波器加載三間隙耦合腔輸出回路進行冷參數測試, 得到該回路的間隙阻抗頻率特性曲線與群時延曲線。

不同本底壓力下離子推力器電子反流失效的數值模擬

針對20cm氙離子推力器具體設計和工作參數, 采用二維軸對稱模型的網格質點和蒙特卡羅碰撞方法模擬計算了氙離子和氙原子在離子推力器柵極系統中的運動。

SiO2對氟磷酸鈣真空碳熱還原反應的影響

Al2O3-Cr多層中高溫選擇吸收薄膜的研究

本文提出基于Al2O3 介質和金屬Cr 的多層結構的選擇吸收膜系, 首先采用電子束熱蒸發在硅基底上沉積了單層Cr 薄膜, 通過橢偏儀測試并分析了Cr 薄膜的光學常數。

多層等離子體蝕刻技術的研究

提出了一種新的干法刻蝕技術-多層等離子體蝕刻, 充分利用腔體的空間布局, 布置多層電極, 并采用分層送氣裝置輸送放電氣體, 實現多層同時進行刻蝕, 可成倍提高產能。