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化學水浴法制備In2S3薄膜的組織和性能研究
采用化學水浴法在InCl3.4H2O 和CH3CSNH2 的酸性混合溶液體系中制備In2S3薄膜,并研究不同工藝下制備In2S3薄膜的晶相結構、表面形貌及光學性能。
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ICP-CVD制備a-CHON及光學性能分析
采用外置電感耦合等離子體化學氣相沉積法, 以高純CH4/N2/ CO2/H2作為反應氣體, 制備出非晶的a-CHON薄膜。研究了放電功率對薄膜沉積速率、表面形貌及光學性能的影響。
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雙波段3.0~5. 0μm 和7. 0~10. 0μm寬帶增透膜的研究
為了增加紅外窗口的透射率,研制了硫化鋅基底上的雙波段寬帶增透膜。膜系設計采用硫化鋅和氟化釔分別作為高、低折射率材料的多層膜結構。
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基于Lockheed模型的變密度多層絕熱理論分析與實驗
采用Lockheed模型,對變密度多層絕熱的傳熱過程進行了理論分析,提出了最佳層密度的概念,重點討論了層密度與邊界溫度關系、層密度區域劃分、層密度配置和最佳層密度下熱流密度的變化。
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多孔Cr-TiO2/P3HT異質結薄膜的制備及光伏特性研究
采用溶膠-凝膠法,利用聚乙二醇2000(PEG 2000),成制備了多孔Cr摻雜TiO2(Cr-TiO2)納米薄膜,并實現了PEG 2000 含量對Cr-TiO2薄膜多孔結構及其光透射特性的有效調制。
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使用ANSYS接觸單元模擬研究行波管收集極的接觸熱阻
收集極是行波管的主要發熱部件, 本文利用ANSYS對某行波管的四級降壓收集極進行了熱分析, 其中利用了ANSYS中的接觸單元CONTA172和TARGE169來模擬收集極各零件間的接觸熱阻。
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溝道長度及源/漏區摻雜濃度對MOS-CNTFET輸運特性的影響
碳納米管場效應晶體管電子輸運性質是其結構參量(縱向結構參量: 如CNT的直徑、柵介質層厚度、介質介電常數等; 橫向結構參量: 如溝道長度、源/漏區摻雜濃度等)的復雜函數。
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